Tamil Nadu investiert 1,75 Milliarden Rupien in neuen Halbleiter-Industriepark

Nach Berichten des Fachmediums Electronics For You BUSINESS plant die Regierung des indischen Bundesstaates Tamil Nadu im Distrikt Kanchipuram einen Halbleiter- und Elektronikfertigungspark mit einem Investitionsvolumen von ₹1,75 Mrd. Trägerin ist die landeseigene Industriefördergesellschaft SIPCOT. Grundlage ist eine Erklärung von Chief Minister C. Joseph Vijay vor der Landesversammlung. In derselben Erklärung kündigte die Landesregierung weitere Großvorhaben in den Bereichen Energie, Logistik und Fintech an, deren Infrastruktur für eine spätere Fertigungsansiedlung mit zu bewerten ist.

Eckdaten zum Park

Geplant sind R&D-Infrastruktur zur Ansiedlung neuer Fertigungseinheiten im Halbleitersektor. Als Zielgrößen nennt Vijay Folgeinvestitionen von bis zu ₹2.000 crore und rund 5.000 direkte sowie indirekte Arbeitsplätze.

Begleitende Infrastrukturprojekte

In derselben Erklärung angekündigt: ein Fintech-Hub in Coimbatore (₹4 Mrd., Träger TIDCO, PPP-Modell) mit Büroinfrastruktur, Startup-Einrichtungen, Laboren und Schulungszentren. Eine Projektstudie ist für ein multimodales Logistikzentrum in Tiruchirappalli vorgesehen. Die Energiebasis erweitert Tamil Nadu durch zwei 800-MW-Blöcke am Standort Tuticorin (1.600 MW gesamt, ₹208 Mrd.). Das Tamil Nadu Transmission Improvement Scheme sieht ₹330,66 Mrd. für 196 neue Umspannwerke, 15.000 km neue Stromleitungen und Ertüchtigung des Bestandsnetzes vor. Für die Region Chennai sind ₹17,62 Mrd. für 36 neue Umspannwerke und Verteilnetz-Upgrades veranschlagt.

Prüfumfang bei neuer Substratquelle

Bei der Qualifizierung indischer Substrathersteller aus dem angekündigten Park gelten dieselben Messgrößen wie für bestehende Quellen: Dielektrizitätskonstante (Dk) und Verlustfaktor (Df) der Lagenwerkstoffe über den relevanten Frequenzbereich, Glasübergangstemperatur (Tg) per DSC, Z-Achsen-CTE per TMA für die Reflow-Wärmebelastung, CAF-Wachstum an gestapelten Mikrovias unter Temperatur- und Feuchteprüfung (85 °C / 85 % rF), Haftfestigkeit an Starrflex-Übergängen per Peel-Test sowie Lötbarkeitsprüfung unter Stickstoff- und Luftatmosphäre. Lieferanten-Qualifikationsberichte sind auf Vergleichbarkeit der Prüfmethodik mit DIN- bzw. IPC-Standards zu kontrollieren, bevor Substratchargen in laufende Serien freigegeben werden.